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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 5.9A
V DD = 25V
3000
8
6
4
2
0
V DD = 50V
V DD = 75V
1000
100
10
f = 1MHz
V GS = 0V
C iss
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
8
6
4
35
28
21
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
R θ JC = 1.8 C/W
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
14
7
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
10
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5
V GS = 10V
4
10
R θ JC = 1.8 C/W
10
100us
3
SINGLE PULSE
o
R θ JC = 1.8 C/W
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r ds(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T C = 25 o C
1ms
10ms
DC
2
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
300
10 -6
10
-5
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3860 Rev.C1
4
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